安森美 EliteSiC MOSFET 與柵極驅動器：電動汽車電力系統(tǒng)創(chuàng)新引領者
在歐盟 2035 年零排放目標等一系列雄心勃勃的計劃推動下，全球范圍內從化石燃料向電動汽車（EV）的轉型正在以前所未有的速度加速進行。為了在市場中吸引消費者，電動汽車必...
分類：基礎電子 時間：2025-07-10 閱讀：391 關鍵詞：SiC MOSFET
深入解析安森美 SiC Combo JFET 技術特性與應用優(yōu)勢
在當今電子技術飛速發(fā)展的時代，功率器件的性能對于眾多應用場景的高效運行起著關鍵作用。安森美具有卓越 RDS (on)*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較...
解析 Littelfuse SMFA：非對稱 TVS 二極管助力 SiC MOSFET 高效柵極保護
在當今的電源和電力電子領域，碳化硅（SiC）MOSFET 的應用正變得越來越廣泛。隨著功率半導體技術的不斷進步，開關損耗也在持續(xù)降低。然而，隨著開關速度的不斷提高，設計人...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-06-24 閱讀：338 關鍵詞： TVS 二極管
在電力電子領域，為了確保 SiC（碳化硅）模塊的安全使用，精確計算其在工作條件下的功率損耗和結溫，并使其在額定值范圍內運行至關重要。MOSFET 的損耗計算與 IGBT 既有相...
分類：基礎電子 時間：2025-06-19 閱讀：584 關鍵詞： SiC MOSFET
揭秘 SiC 市場新爆點：共源共柵（cascode）結構深度剖析
在 SiC（碳化硅）市場蓬勃發(fā)展的當下，安森美（onsemi）的 cascode FET（碳化硅共源共柵場效應晶體管）在硬開關和軟開關應用中展現(xiàn)出了諸多優(yōu)勢。今天，我們將深入探討 Cascode 結構，探尋其在 SiC 市場成為下一個爆...
SiC MOSFET 模塊并聯(lián)的動態(tài)均流難題及對策
在電力電子領域的不斷發(fā)展進程中，SiC MOSFET 模塊由于其優(yōu)異的性能，如高開關速度、低導通電阻等，被廣泛應用于各種高功率、高頻率的場合。而當多個 SiC MOSFET 模塊并聯(lián)...
分類：基礎電子 時間：2025-05-30 閱讀：447 關鍵詞：SiC MOSFET
在傳動逆變器中，一個低功率輔助電源，通常是反激轉換器，起著至關重要的作用，將 400V 或 800V 高壓直流（HVDC）輸入轉換為低壓直流（LVDC）輸出。該輔助電源在故障條件下...
maxpak初始焦點高達650V/400A和1200V/200A工業(yè)開關。最大模具尺寸的最大尺寸是直接焊接到電力PCB，DBC底物，甚至是重型銅鉛框架的限制，從而限制了最大電流。最初的?maxpak...
瞬態(tài)保護設備 瞬態(tài)尖峰可能是由雷擊，附近的機械，負載開關的電源飆升等引起的。一個例子是現(xiàn)代汽車，在該汽車上不斷增加的車載電子設備連接到電池和交流發(fā)電機。交流發(fā)...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-03-27 閱讀：465 關鍵詞：抑制二極管
將Schottky屏障二極管與SIC MOSFET集成的進步
Sic Schottky二極管比標準硅P/N二極管具有許多優(yōu)勢。一個關鍵優(yōu)勢是缺乏反向發(fā)現(xiàn)損失，這可能會主導P/N二極管損失，尤其是在較高的溫度，快速轉換過渡和高流動應用下。除了...
由于可靠性，成本和系統(tǒng)級別的價值提高，碳化硅碳化物的阻塞電壓最高可達1700 V。通過將最新SIC CHIP生成的阻塞電壓擴展到2000 V，新的可能性就會出現(xiàn)?，F(xiàn)在可以更輕松地處...
TDK - 面向緊湊型高性能FPGA、SoC和ASIC的次世代垂直供電解決方案
隨著人工智能 (AI) 和邊緣應用日趨完善和復雜，對處理器、ASIC和FPGA/SoC的計算能力和電源要求也水漲船高。因為這些設備須在更狹小的空間內高效運行，同時保持高性能。垂直...
傳統(tǒng)保險絲是一種單使用設備，需要在清除故障后更換。因此，指定保險絲僅在持續(xù)的高電流下吹。這可以保護系統(tǒng)中的布線，但不能保護敏感的負載，并且可能導致系統(tǒng)級的停機時...
分類：安防監(jiān)控 時間：2025-02-21 閱讀：481 關鍵詞：SIC
Microchip - 基于SiC的高電壓電池斷開開關的設計注意事項
得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統(tǒng)（由單相或三相電網電源或儲能系統(tǒng)（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需...
分類：動力電池/充電樁 時間：2025-02-14 閱讀：1992
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統(tǒng)，由單相或三相電網功率或儲能系統(tǒng)（ESS）提供動力，可以通過固態(tài)電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態(tài)電池斷開連接開關時，需要...
時間：2025-02-12 閱讀：397 關鍵詞：SIC
基于 SiC 器件的電機驅動 工業(yè)電機驅動器涵蓋廣泛的應用，從低壓工業(yè)驅動器（例如風扇、泵和傳送帶、熱泵和空調）以及伺服驅動器。據(jù)估計，這些通常由交流電源驅動的電...
系統(tǒng)解決方案：“用于工業(yè)電機驅動的SiC逆變器”
這導致對系統(tǒng)和組件級別的設計要求更加苛刻，并最終影響功率器件、無源組件、冷卻技術和PCB的整體一致性?！ 榱藢崿F(xiàn)所需的增強系統(tǒng)性能，半導體器件必須應對更高的功率...
第一代 AI PSU：采用相同架構，功率更高，約 5.5–8 kW，50 V輸出，277 V交流，單相 目前的AI服務器PSU大多遵循ORv3-HPR標準。在該標準中，大多數(shù)規(guī)格，包括輸入和輸出...
溝槽 JFET 結構 圖 1 顯示了溝槽 JFET 的單元結構示意圖。低導通電阻源自以高單元密度重復的垂直溝道，從而通過溝道和漂移區(qū)域在源極和漏極接觸之間創(chuàng)建了一條短路徑。...
時間：2024-12-30 閱讀：559 關鍵詞：USCis SiC 共源共柵
SiC MOSFET 利用快速關斷方法實現(xiàn)短路保護
短路原點 電源轉換系統(tǒng)中的 SC 事件可能由多種原因引起，包括電纜操作、負載故障、絕緣材料老化、組件故障和設計錯誤。電源應用可以包括不同的保護機制以提高其可靠性?！ ∝撦d引起的高電感 SC 事件通常通過軟件...
分類：安防監(jiān)控 時間：2024-12-19 閱讀：578 關鍵詞：SiC MOSFET
